Note 1 to entry: Through-silicon-vias are mainly applied to three-dimensionally stacked packaging of semiconductor devices. In the MEMS fields, the through-silicon-vias are applied to wafer level packaging technology. Some through-silicon-vias consist of through-via, insulator and electrode material. Solder, copper, doped-poly-silicon and so on are used as electrode materials.

Note 2 to entry: This note applies to the French language only.

[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.6.11]

Note 1 à l’article: Les trous de liaison à travers le silicium s'appliquent principalement aux dispositifs à semiconducteurs encapsulés selon un empilement tridimensionnel. Dans le cas des MEMS, les trous de liaison à travers le silicium s'appliquent à la technologie de l'encapsulation au niveau de la tranche. Certains trous de liaison à travers le silicium sont constitués de trous de liaison traversants, d'isolants et de matériaux d'électrode. Les électrodes sont constituées de brasures, de cuivre, de polysilicium dopé, etc.

Note 2 à l'article: Le terme abrégé "TSV" est dérivé du terme anglais développé correspondant "through-silicon-via".

[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.6.11]