Note 1 to entry: By changing the precursor gases sequentially, a chemical deposition process can be controlled down to the atomic or molecular scale. In the molecular beam epitaxy process, one of the related techniques, the deposited layer has the same crystal structure as that of the mono-crystalline substrate.

Note 2 to entry: This note applies to the French language only.

[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.32]

Note 1 à l’article: En modifiant de manière séquentielle les gaz précurseurs, le procédé de dépôt chimique peut être contrôlé jusqu'à l'échelle atomique ou moléculaire. Dans le procédé d'épitaxie par faisceaux moléculaires, qui est une des techniques connexes, la couche déposée a la même structure cristalline que celle d'un substrat monocristallin.

Note 2 à l’article: Le terme abrégé "ALD" est dérivé du terme anglais développé correspondant "atomic layer deposition".

[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.32]