Note 1 to entry: Under reactive ion etching, material is removed selectively in the vertical direction under the mask by both chemical reaction and physical bombardment (sputtering) with ions and radicals produced in plasma. Unlike in anisotropic etching wherein the direction of erosion depends on the crystal orientation of the material, in reactive ion etching the direction of removal is determined by the direction of the ion stream. Reactive ion etching results in less undercut erosion from the edge beneath the mask than does wet etching.

Note 2 to entry: This note applies to the French language only.

[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.28]

Note 1 à l'article: Avec la gravure ionique réactive, le matériau est enlevé de manière sélective dans le sens vertical sous le masque, tant par réaction chimique que par bombardement physique (pulvérisation) avec des ions et des radicaux produits dans un plasma. À la différence de la gravure anisotrope, dans laquelle le sens d’érosion dépend de l’orientation cristallographique du matériau, dans la gravure ionique réactive le sens de retrait est déterminé par le sens du flux ionique. La gravure ionique réactive aboutit à moins d’érosion de gravures sous-jacentes, à partir du bord en dessous du masque, par rapport à la gravure humide.

Note 2 à l'article: Le terme abrégé "RIE" est dérivé du terme anglais développé correspondant "Reactive Ion Etching".

[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.28, modifié – Dans la définition, "pulvérisation" remplacé par "pulvérisation sous vide" en conformité avec l'IEV 521-03-17]