Note 1 to entry: Usually, the etch selectivity is high between the intermediate layer and the two sandwich layers. The purpose of the sacrificial layer is to mechanically release one or both of the sandwich layers. Silicon oxide is a commonly used sacrificial layer.
[SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.26]
Note 1 à l’article: Habituellement, la sélectivité de gravure est élevée entre la couche intermédiaire et les deux couches sandwich. L’objet de la couche sacrificielle est de relâcher mécaniquement une couche sandwich ou les deux. L’oxyde de silicium est une couche sacrificielle communément utilisée.