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Area Semiconductor devices and integrated circuits / Properties of semiconductor materials

IEV ref521-02-12

en
non-degenerate semiconductor
semiconductor in which the Fermi level is situated in the energy gap away from the boundaries at a distance at least twice as great as the product of Boltzmann's constant and the thermodynamic temperature

Note – The charge carriers in a non-degenerate semiconductor are governed by Maxwell-Boltzmann statistics.


fr
semiconducteur non dégénéré, m
semiconducteur dans lequel le niveau de Fermi est situé dans la bande interdite, loin de ses limites, à une distance au moins égale à deux fois le produit de la constante de Boltzmann par la température thermodynamique

Note – Les porteurs de charge d'un semiconducteur non dégénéré sont régis par la statistique de Maxwell-Boltzmann.


ar
شبه موصل ضعيف الناقلية

de
nichtentarteter Halbleiter, m

es
semiconductor no degenerado

fi
degeneroitumaton puolijohde

it
semiconduttore non degenere

ko
비축퇴 반도체

ja
非縮退形半導体

pl
półprzewodnik niezdegenerowany

pt
semicondutor não degenerado

sr
недегенерисани полупроводник, м јд

sv
icke-degenerad halvledare

zh
非简并半导体

Publication date: 2002-05
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